原名:Comparison of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors modeling in two and three … by Gibson, William A.
作品简介:本论文着眼于对氮化镓 (GaN) 高电子迁移率可靠性进行建模，可能使 GaN 成为高功率高频的合适替代品。行话。片层电荷密度是铝成分的函数，来自[15]。纤锌矿晶体的自发极化来自[18]。……
资源下载
VIP免费升级VIP
原名:Comparison of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors modeling in two and three … by Gibson, William A.
作品简介:本论文着眼于对氮化镓 (GaN) 高电子迁移率可靠性进行建模，可能使 GaN 成为高功率高频的合适替代品。行话。片层电荷密度是铝成分的函数，来自[15]。纤锌矿晶体的自发极化来自[18]。……
