原名:(Al2O3/HfO2) films on InGaAs substrate
作品简介:感谢神圣先知哈兹拉特·穆罕默德 (P.B.U.H) 启发我们的良心……但是,由于 CMOS 器件的尺寸大幅缩小,SiO2 的厚度已减少到 14 Å。电介质或电绝缘材料用于集成电路以及栅极氧化物……
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原名:(Al2O3/HfO2) films on InGaAs substrate
作品简介:感谢神圣先知哈兹拉特·穆罕默德 (P.B.U.H) 启发我们的良心……但是,由于 CMOS 器件的尺寸大幅缩小,SiO2 的厚度已减少到 14 Å。电介质或电绝缘材料用于集成电路以及栅极氧化物……