原名:MINIMIZING AND EXPLOITING LEAKAGE IN VLSI A Dissertation by NIKHIL JAYAKUMAR … ( 166 Pages )
作品简介:器件的阈值电压),漏电流呈指数增加。泄漏。 III-F。使用栅极长度偏置代替 VT 改变 36. PLA 和口断块的电路详细信息。线性(三极管)区域:Ilin ..它利用了合并到的伪布尔函数。……

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